Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
Шифр и наименование области науки: 2. «Технические науки»
Шифр и наименование группы научных специальностей: 2.2. «Электроника, фотоника, приборостроение и связь»
Выпускающая кафедра (подразделение): кафедры «Физика конденсированных сред» (67)
Срок обучения: 4 года
Куратор программы: Васильевский Иван Сергеевич, e-mail: ISVasilyevskij@mephi.ru, тел. (495)7885699 доб. 8170
Цель программы: Целью программы аспирантуры является подготовка диссертации на соискание ученой степени кандидата технических или физико-математических наук в области разработки материалов, нанотехнологий компонентной базы твердотельной электроники и радиофотоники, приборов на квантовых эффектах, в том числе на основе новых размерных монослойных и гетероструктурных материалов, схемотехнического проектирования систем, по соответствующим направлениям научно-исследовательских, конструкторских, проектно-конструкторских, технологических работ, проводимых Акционерное общество «НПО «Орион»
Направления научных исследований:
Отрасль наук: физико-математические науки:
- исследования и разработки новых гетероструктурных полупроводниковых материалов на основе А3В5, SiC, графена и алмаза (в области фундаментальных и прикладных исследований);
- разработка новых принципов функционирования компонентной базы радиофотоники, спинтроники, одноэлектроники, функциональной электроники, сенсоров;
- разработка математических моделей функционирования и параметров электронных приборов, в т.ч. с учетом процессов рассеяния и баллистических процессов в короткоканальных нанотранзисторах;
- квантовый дизайн полупроводниковых гетероструктур и приборов радиофотоники, СВЧ электроники, в т.ч. нанотранзисторов, резонансно-туннельных диодов, квантово-каскадных лазеров и т.д.;
- исследования и разработки в области механизмов токопереноса и излучательных процессов в органических полупроводниковых структурах;
- разработка технологий эпитаксиального роста гетероструктур для СВЧ, силовой, функциональной и оптоэлектроники, сенсоров магнитного поля, температуры;
- исследования в области физики радиационного воздействия и воздействия тяжелых заряженных частиц на материалы и электронные приборы.
Отрасль наук: технические науки:
- исследования и разработки технологий получения новых гетероструктурных полупроводниковых материалов на основе А3В5, SiC, графена и алмаза, разработка методов их анализа, в том числе, в наноразмерном диапазоне;
- исследования и разработки в области современных нанотехнологий изготовления компонентной базы радиофотоники, СВЧ электроники и силовой электроники, сенсоров, в т.ч. планарная технология формирования многослойной металлизации, плазмохимические технологии осаждения и травления диэлектрических покрытий, нанолитография, атомно-слоевое осаждение, ионно-кластерная планаризация, комбинированные гибридные технологии и др.;
- моделирование и проектирование радиационно-стойкой электронной компонентной базы кремниевой, кремний-на-изоляторе и гетероструктурной электроники;
- исследования и разработки в области создания и применения моделей интегральных схем и сложнофункциональных блоков, библиотек элементов, построения методик измерений и экстракций параметров с учетом требований к СВЧ полосе, шумовым характеристикам и др. требуемым функциональным параметрам.
Организации-партнеры для проведения совместных научных исследований:
- Акционерное общество «НПО «Орион».
Научные группы, научные лаборатории, центры НИЯУ МИФИ:
- Центр радиофотоники и СВЧ технологий НИЯУ МИФИ (линейка А3В5 нанофабрикации для СВЧ и радиофотонной компонентной базы);
- Центр экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ;
- Инжиниринговый центр МИФИ.
Защита в диссертационном совете НИЯУ МИФИ.