Физика полупроводников
Шифр и наименование области науки: 1. «Естественные науки»
Шифр и наименование группы научных специальностей: 1.3. «Физические науки»
Выпускающая кафедра (подразделение): кафедры «Физика конденсированных сред» (67)
Форма обучения: очная
Срок обучения: 4 года
Кураторы программы: профессор отделения офиса образовательных программ ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ Васильевский Иван Сергеевич, e-mail: ISVasilyevskij@mephi.ru, тел. (495)7885699 доб. 8170
Цель программы: Целью программы аспирантуры является подготовка диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук в области физики полупроводников, соответствующей направлениям научно-исследовательских, конструкторских, проектно-конструкторских, технологических работ, проводимых АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха»
Направление научных исследований:
Отрасль наук: физико-математические науки:
- Моделирование конструкции, электронных и оптических свойств полупроводниковых структур и полупроводниковых приборов на их основе
- Физические основы методов изготовления полупроводниковых материалов, гетероструктур, композитных структур, структур пониженной размерности.
- Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов, гетероструктур, и композитных структур на их основе.
- Примеси и дефекты в полупроводниках, гетероструктурах, и композитных структурах.
- Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления.
- Электронные спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе.
- Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах, гетероструктурах.
- Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и в композиционных полупроводниковых структурах и полупроводниковых приборах на их основе.
- Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства.
- Неравновесные явления в полупроводниках и структурах.
- Акустические, тепловые и механические свойства полупроводников и композиционных полупроводниковых структур.
- Квантоворазмерные структуры.
- Многочастичные взаимодействия в полупроводниках и композитных структурах.
- Транспортные и оптические явления в структурах пониженной размерности.
- Мезоскопические явления в полупроводниках и композитных структурах.
- Некристаллические полупроводники. Органические полупроводники.
- Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах.
- Разработка физических принципов работы приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур.
- Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.
- Физико-технические основы конструирования и производства компонентной базы оптоэлектроники и радиофотоники, терагерцевой техники, в том числе, в интегральном исполнении.
Отрасль наук: технические науки:
- Моделирование конструкции, электронных и оптических свойств полупроводниковых структур и полупроводниковых приборов на их основе
- Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, гетероструктур, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
- Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов, гетероструктур, композитных структур и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
- Примеси и дефекты в полупроводниках, композитных структур, гетероструктур, и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
- Электронный транспорт в полупроводниках, композитных структурах, гетероструктурах, и полупроводниковых приборах и интегральных устройствах на их основе.
- Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках, в композиционных полупроводниковых структурах, и полупроводниковых приборах и интегральных устройствах на их основе.
- Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства, фотодетекторы.
- Разработка моделей и принципов конструирования функциональных элементов и компонентов оптоэлектроники и радиофотоники, в том числе, СВЧ диапазона.
- Разработка технологии изготовления материалов, элементов и компонентов оптоэлектроники и радиофотоники, в том числе, СВЧ диапазона.
- Акустические, тепловые и механические свойства полупроводников, композиционных полупроводниковых структур и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
- Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства.
- Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и композитных структурах на их основе, технологических процессов и полупроводниковых приборов.
- Разработка физических принципов работы и создание приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур.
- Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.
- Разработка принципов применения полупроводниковой компонентной базы в системах обработки СВЧ широкополосных сигналов для радиофотоники и информационных технологий
- Разработка компонентной базы для квантовых технологий.
Организации-партнеры для проведения совместных научных исследований:
- АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха»
Научные группы, научные лаборатории, центры НИЯУ МИФИ:
- «Научно-учебная лаборатория терагерцовой фотоники»
- «Научно-учебная лаборатория инструментального физико-химического анализа»
- «Научно-учебная лаборатория нанотехнологий в области биологии, экологии, медицины»
- «Научно-учебная лаборатория спектроскопии микро- и наноструктур»
Защита в диссертационном совете НИЯУ МИФИ