Физика полупроводников, гетероструктур и новых широкозонных материалов

Шифр и наименование области науки: 1. «Естественные науки»

Шифр и наименование группы научных специальностей: 1.3. «Физические науки»

Выпускающая кафедра (подразделение):  кафедры «Физика конденсированных сред» (67)

Форма обучения: очная

Срок обучения: 4 года

Кураторы программы: профессор отделения офиса образовательных программ ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ Васильевский Иван Сергеевич, e-mail: ISVasilyevskij@mephi.ru, тел. (495)7885699 доб. 8170

Цель программы: Целью программы аспирантуры является подготовка диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук в области физики полупроводников, соответствующей направлениям научно-исследовательских, конструкторских, проектно-конструкторских, технологических работ, проводимых АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» 

Направление научных исследований:

Отрасль наук: физико-математические науки:

• Моделирование конструкции, электронных и оптических свойств полупроводниковых структур и полупроводниковых приборов на их основе
• Физические основы методов изготовления полупроводниковых материалов, гетероструктур, композитных структур, структур пониженной размерности. 
• Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов, гетероструктур,  и композитных структур на их основе.
• Примеси и дефекты в полупроводниках, гетероструктурах,  и композитных структурах.
• Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления. 
• Электронные спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе. 
• Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах, гетероструктурах. 
• Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и в композиционных полупроводниковых структурах и полупроводниковых приборах на их основе. 
• Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства. 
• Неравновесные явления в полупроводниках и структурах. 
• Акустические, тепловые и механические свойства полупроводников и композиционных полупроводниковых структур. 
• Квантоворазмерные структуры.
• Многочастичные взаимодействия в полупроводниках и композитных структурах. 
• Транспортные и оптические явления в структурах пониженной размерности. 
• Мезоскопические явления в полупроводниках и композитных структурах. 
• Некристаллические полупроводники. Органические полупроводники. 
• Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах. 
• Разработка физических принципов работы приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур. 
• Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.
• Физико-технические основы конструирования и производства компонентной базы оптоэлектроники и радиофотоники, терагерцевой техники, в том числе, в интегральном исполнении.

Отрасль наук: технические науки:

• Моделирование конструкции, электронных и оптических свойств полупроводниковых структур и полупроводниковых приборов на их основе
• Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, гетероструктур, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе. 
• Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов, гетероструктур, композитных структур и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе. 
• Примеси и дефекты в полупроводниках, композитных структур, гетероструктур,  и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
• Электронный транспорт в полупроводниках, композитных структурах, гетероструктурах,  и полупроводниковых приборах и интегральных устройствах на их основе.
• Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках, в композиционных полупроводниковых структурах, и полупроводниковых приборах и интегральных устройствах на их основе. 
• Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства, фотодетекторы.
• Разработка моделей и принципов конструирования функциональных элементов и компонентов оптоэлектроники и радиофотоники, в том числе, СВЧ диапазона.
• Разработка технологии изготовления материалов, элементов и компонентов оптоэлектроники и радиофотоники, в том числе, СВЧ диапазона.
• Акустические, тепловые и механические свойства полупроводников, композиционных полупроводниковых структур и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе. 
• Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства. 
• Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и композитных структурах на их основе, технологических процессов и полупроводниковых приборов. 
• Разработка физических принципов работы и создание приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур. 
• Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.
• Разработка принципов применения полупроводниковой компонентной базы в системах обработки СВЧ широкополосных сигналов для радиофотоники и информационных технологий
• Разработка компонентной базы для квантовых технологий.

Организации-партнеры для проведения совместных научных исследований: 

• АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха»

Научные группы, научные лаборатории, центры НИЯУ МИФИ:

• «Научно-учебная лаборатория терагерцовой фотоники»
• «Научно-учебная лаборатория инструментального физико-химического анализа»
• «Научно-учебная лаборатория нанотехнологий в области биологии, экологии, медицины»
•  «Научно-учебная лаборатория спектроскопии микро- и наноструктур»

Защита в диссертационном совете НИЯУ МИФИ