Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники
Шифр и наименование области науки: 2. «Технические науки»
Шифр и наименование группы научных специальностей: 2.2. «Электроника, фотоника, приборостроение и связь»
Выпускающая кафедра (подразделение): кафедра микро- и наноэлектроники (№ 27) и кафедра электроники (№ 3)
Форма обучения: очная
Срок обучения: 4 года
Куратор программы: к.т.н., доцент каф. 27 Воронов Юрий Александрович, yavoronov@mephi.ru
Цель программы: Целью программы аспирантуры является подготовка аспирантом диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук в области разработки и изготовления материалов и приборов электронной техники (преимущественно полупроводниковых). Аспирантам предлагается участие в экспериментах по проектированию, изготовлению и испытаниям полупроводниковых приборов и интегральных схем, в том числе СБИС, НИОКР, грантах, посвященных решению данных задач и т.п.
Направление научных исследований:
1. Разработка физико-технологических и физико-химических основ создания новых и совершенствования существующих материалов включая полупроводники, диэлектрики, проводники, технологические среды.
2. Физические и физико-химические исследования технологических процессов и маршрутов производства материалов и приборов электронной техники, разработка их физико-технологических и физико-химических моделей.
3. Исследование и разработка конструкций, моделей, методов проектирования и технологий изготовления оборудования для исследования свойств и производства материалов и приборов электронной техники.
4. Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик оборудования для производства материалов и приборов электронной техники включая вопросы качества, долговечности, надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, а также вопросы эффективного применения.
Организации-партнеры для проведения совместных научных исследований:
- АО «НПП «Пульсар»;
- ГК «Микрон»;
- АО «НПП «Исток» им. Шокина».
Научные группы, научные лаборатории, центры НИЯУ МИФИ:
- Международная НИЛ «Инжиниринг наноэлектромеханических систем и сенсоров»;
- Технологическая лаборатория кафедры 27;
- Лаборатория проектирования специализированных интегральных микросхем на базе кафедры электроники (№ 3);
- Лаборатория комплексной технологии полупроводниковых приборов центра радиофотоники и СВЧ-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике центр радиофотоники и СВЧ-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике;
- Центр экстремальной прикладной электроники института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике.